Double Heterostructure AlGaN/GaN/AlGaN HEMT Based on Grading AlGaN/AlN Buffer Layer

Yu H., LİŞESİVDİN S. B., Bölükbaş B., Kelekçi Ö., Öztürk M., Çakmak H.

2009 MRS Fall Meeting, I: III-Nitride Materials for Sensing, Energy Conversion, and Controlled Light-Matter Interactions, SESSION I4: Surface and Interface Properties II, Boston, Amerika Birleşik Devletleri, 29 Kasım - 03 Aralık 2009, ss.4, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Boston
  • Basıldığı Ülke: Amerika Birleşik Devletleri
  • Sayfa Sayıları: ss.4
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet