AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri

Çörekçi S., Çakmak M., Özçelik S., Özbay E.

13. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Türkiye, 03 Kasım 2006, ss.12, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Basıldığı Şehir: Ankara
• Basıldığı Ülke: Türkiye
• Sayfa Sayıları: ss.12
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet