AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri

Çörekçi S., Çakmak M., Özçelik S., Özbay E.

13. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Türkiye, 03 Kasım 2006, ss.12

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Ankara
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.12
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet