Investigation of the Voltage Dependent Surface States and Their Relaxation Time of the Al/CdZnO/p-Si (MIS) Structure Via Admittance Method
Journal of the Institute of Science and Technology, cilt.9, ss.1359-1366, 2019 (TRDizin)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 9
- Basım Tarihi: 2019
- Doi Numarası: 10.21597/jist.534345
- Dergi Adı: Journal of the Institute of Science and Technology
- Derginin Tarandığı İndeksler: TR DİZİN (ULAKBİM)
- Sayfa Sayıları: ss.1359-1366
- Gazi Üniversitesi Adresli: Evet