Investigation of the Voltage Dependent Surface States and Their Relaxation Time of the Al/CdZnO/p-Si (MIS) Structure Via Admittance Method

ERBİLEN TANRIKULU E.

Journal of the Institute of Science and Technology, cilt.9, ss.1359-1366, 2019 (Hakemli Dergi)

• Yayın Türü: Makale / Tam Makale
• Cilt numarası: 9
• Basım Tarihi: 2019
• Doi Numarası: 10.21597/jist.534345
• Dergi Adı: Journal of the Institute of Science and Technology
• Derginin Tarandığı İndeksler: TR DİZİN (ULAKBİM)
• Sayfa Sayıları: ss.1359-1366
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet