InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri


TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B. , KASAP M. , ÖZÇELİK S. , ÖZBAY E.

ADIM Physics Congress II, Denizli, Türkiye, 25 - 27 Nisan 2012, ss.65

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Denizli
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.65