Electrical propertiesof Al/HfO2/p-Si MOS device in dark and under 250 W illuminationlevel,

YÜKSELTÜRK E., BENGİ S., BÜLBÜL M. M.

2nd International Conference on Innovations in NaturalScience and Engineering, KYİV, Ukrayna, 7 - 10 Eylül 2018, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: KYİV
  • Basıldığı Ülke: Ukrayna
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet