Prof. SEFER BORA LİŞESİVDİN

Gazi University, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Dr), Turkey

Gazi University, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı (Disiplinlerarası), Turkey

Hacettepe University, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Turkey

AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri

Gazi University, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Dr)

MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve AlGaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

Gazi University, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı (Disiplinlerarası)