Metrikler
Yayın
41
Açık Erişim
7
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Duyurular & Dokümanlar
Dosya İndir
Eğitim Bilgileri
1994 - 1998
1994 - 1998Doktora
University of Essex, Birleşik Krallık
1984 - 1987
1984 - 1987Yüksek Lisans
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye
1978 - 1983
1978 - 1983Lisans
Ankara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Yaptığı Tezler
1998
1998Doktora
Raman spectroscopy of GaN epilayers and InGaAlAs quaternary semiconductor alloys.
University of Essex, Physics
1987
1987Yüksek Lisans
Foton dedeksiyonu ve kızılötesi bölge lazerlerine uygulamaları
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli)
Yabancı Diller
C1 İleri
C1 İleriİngilizce
Araştırma Alanları
Temel Bilimler
Akademik Ünvanlar / Görevler
2013 - Devam Ediyor
2013 - Devam EdiyorProf. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü
2009 - 2013
2009 - 2013Doç. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü
2001 - 2008
2001 - 2008Yrd. Doç. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü
1984 - 2001
1984 - 2001Araştırma Görevlisi
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü
Akademi Dışı Deneyim
2008 - 2010
2008 - 2010Ankara Bölge Koordinator
TÜBİTAK, TUBİTAK-BİDEB, TUBİTAK-BİDEB, Ankara Bölge Koordinator
Yönetilen Tezler
2022
2022Yüksek Lisans
Güneş enerjisi kullanımı için Au@SiO2 VE Ag@SiO2 çekirdek-kabuk nanoparaçacıklarına dayalı plazmonik boya-sensitize güneş pillerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
Bülbül M. M., Salman O. N.(Eş Danışman)
M.ADIL(Öğrenci)
2016
2016Doktora
Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky engel diyotların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekansa sıcaklığa ve aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi
BÜLBÜL M. M. (Danışman)
E.YÜKSELTÜRK(Öğrenci)
2015
2015Yüksek Lisans
Au/C20H12/n -Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesı
BÜLBÜL M. M. (Danışman)
K.MORAKİ(Öğrenci)
2013
2013Doktora
Al/HfO2/p-Si (MIS) yapının elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve radyasyona bağlı incelenmesi
BÜLBÜL M. M. (Danışman)
S.BENGİ(Öğrenci)
2012
2012Doktora
Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri
SALAMOV B. (Danışman), BÜLBÜL M. M.
S.Karaköse(Öğrenci)
2010
2010Yüksek Lisans
AlxGa1-xAs/ GaAs SÜPERÖRGÜNÜN OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ
BÜLBÜL M.
E.YÜKSELTÜRK(Öğrenci)
2009
2009Yüksek Lisans
Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Bülbül M. M. (Danışman)
R.ÖZAYDIN(Öğrenci)
2005
2005Doktora
Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi
Bülbül M. M. (Danışman)
S.ZEYREK(Öğrenci)
2005
2005Yüksek Lisans
GaAs/Al0.2Ga0.8As süperörgünün optiksel özelliklerinin fotomlüminesans yöntemiyle incelenmesi
Bülbül M. M. (Danışman)
S.ÖZKAYA(Öğrenci)
2005
2005Yüksek Lisans
III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
BÜLBÜL M. M. (Danışman)
E.GÜÇ(Öğrenci)
2004
2004Yüksek Lisans
GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi
Bülbül M. M. (Danışman)
S.CEBE(Öğrenci)
2003
2003Yüksek Lisans
Altıgen ve kübik galyum nitrür ince tabakalarının raman özellikleri
Bülbül M. M. (Danışman)
Y.TAN(Öğrenci)
Makaleler
Tümü (28)
SCI-E, SSCI, AHCI (27)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (28)
ESCI (1)
Scopus (28)
2024
20241. Hybrid Organic-Inorganic ZnO/PCBM Electron Transport Layer with Organic Lead Halide Perovskite Solar Cell Materials CH3 NH3 PbIX2, X is Cl or I
Alaiawi A. A. L., BÜLBÜL M. M., Jafar A. M.
International Journal of Nanoscience
, cilt.23, sa.3, 2024 (ESCI, Scopus)
2024
20242. Preparation of Ag@SiO2 core–shell nanoparticles for plasmonic dye-sensitized solar cell application using laser ablation in liquid technique
Mohammed M. A., Salman O. N., BÜLBÜL M. M.
Optical and Quantum Electronics
, cilt.56, sa.1, 2024 (SCI-Expanded, Scopus)
2023
20233. Investigation of electrical characterization of Al/HfO2/p-Si structures in wide temperature range
Bengi S., Yükseltürk E., BÜLBÜL M. M.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
, cilt.34, sa.3, 2023 (SCI-Expanded, Scopus)
2017
20174. Temperature dependence of characteristic parameters of the Au/C20H12/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range
Moraki K., Bengi S., Zeyrek S., Bulbul M. M., Altindal Ş.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.28, sa.5, ss.3987-3996, 2017 (SCI-Expanded, Scopus)
2014
20145. Annealing effect on the electrical properties of HfO2 based Schottky barrier diodes
Bengi S., BÜLBÜL M. M.
JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
, cilt.16, ss.451-456, 2014 (SCI-Expanded, Scopus)
2013
20136. Electrical and dielectric properties of Al/HfO2/p-Si MOS device at high temperatures
Bengi S., Bulbul M. M.
CURRENT APPLIED PHYSICS
, cilt.13, sa.8, ss.1819-1825, 2013 (SCI-Expanded, Scopus)
2013
20137. The effect of series resistance and interface states on the frequency dependent C-V and G/w-V characteristics of Al/perylene/p-Si MPS type Schottky barrier diodes
Zeyrek S., Acaroglu E., Altindal Ş., Birdogan S., Bulbul M. M.
CURRENT APPLIED PHYSICS
, cilt.13, sa.7, ss.1225-1230, 2013 (SCI-Expanded, Scopus)
2013
20138. The C-V and G/omega-V Electrical Characteristics of Co-60 gamma-Ray Irradiated Al/Si3N4/p-Si (MIS) Structures
Zeyrek S., Turan A., Bulbul M. M.
CHINESE PHYSICS LETTERS
, cilt.30, sa.7, 2013 (SCI-Expanded, Scopus)
2012
20129. Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier
Afandiyeva I. M., Bulbul M. M., Altindal Ş., Bengi S.
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.93, ss.50-55, 2012 (SCI-Expanded, Scopus)
2011
201110. The density of interface states and their relaxation times in Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si(MFIS) structures
Bulbul M. M., Altindal Ş., Parlakturk F., TATAROĞLU A.
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS
, cilt.43, sa.13, ss.1561-1565, 2011 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201011. Temperature dependent capacitance and conductance-voltage characteristics of Au/polyvinyl alcohol(Co,Zn)/n-Si Schottky diodes
Bulbul M. M., Bengi S., Dokme İ., Altindal Ş., Tunc T.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.108, sa.3, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201012. Temperature and frequency dependent dielectric properties of Au/Bi 4Ti3O12/SiO2/Si (MFIS) structures
ALTINDAL Ş., Parlaktürk F., TATAROĞLU A., BÜLBÜL M. M.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
, cilt.12, sa.10, ss.2139-2143, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200813. The Double Gaussian Distribution of Inhomogeneous Barrier Heights in Al/GaN/p-GaAs (MIS) Schottky Diodes in Wide Temperature Range
Zeyrek S., Buelbuel M. M., Altindal Ş., Baykul M. C., Yuezer H.
BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS
, cilt.38, sa.4, ss.591-597, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200814. Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures
Afandiyeva I. M., Doekme İ., Altindal Ş., Buelbuel M. M., TATAROĞLU A.
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.85, sa.2, ss.247-252, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200815. The effect of Co-60 (gamma-ray) irradiation Au/SnO2/n-Si on the electrical characteristics of (MIS) structures
Goekcen M., TATAROĞLU A., Altindal Ş., Buelbuel M. M.
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY
, cilt.77, sa.1, ss.74-78, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200716. The barrier height distribution in identically prepared Al/p-Si Schottky diodes with the native interfacial insulator layer (SiO2)
Altindal Ş., Kanbur H., TATAROĞLU A., Buelbuel M. M.
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
, cilt.399, sa.2, ss.146-154, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2006
200617. The barrier height inhornogeneity in Al/p-Si Schottky barrier diodes with native insulator layer
Dokme İ., Altindal Ş., Bulbul M. M.
APPLIED SURFACE SCIENCE
, cilt.252, sa.22, ss.7749-7754, 2006 (SCI-Expanded, Scopus)
2006
200618. The role of the interface insulator layer and interface states on the current-transport mechanism of Schottky diodes in wide temperature range
Altindal Ş., Dokme İ., Bulbul M. M., Yalcin N., Serin T.
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.83, sa.3, ss.499-505, 2006 (SCI-Expanded, Scopus)
2006
200619. On the profile of temperature dependent series resistance in Al/Si3N4/p-Si (MIS) Schottky diodes
Bulbul M. M., Zeyrek S., Altindal Ş., Yuzer H.
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.83, sa.3, ss.577-581, 2006 (SCI-Expanded, Scopus)
2006
200620. Current transport mechanism in Al/Si3N4/p-Si (MIS) Schottky barrier diodes at low temperatures
Zeyrek S., Altindal Ş., Yuzer H., Bulbul M. M.
APPLIED SURFACE SCIENCE
, cilt.252, sa.8, ss.2999-3010, 2006 (SCI-Expanded, Scopus)
2005
200521. Temperature and frequency dependent electrical and dielectric properties of Al/SiO2/p-Si (MOS) structure
Tataroğlu A., Altindal Ş., Bulbul M. M.
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.81, sa.1, ss.140-149, 2005 (SCI-Expanded, Scopus)
2002
200222. Segregation and non-segregation of Ge for H(Cl): Si(001)/Ge-(2x1) and H(Cl): Si(001)/Ge-(3x1)
Bulbul M. M., ÇAKMAK M., Srivastava G., Colakoglu K.
SURFACE SCIENCE
, cilt.507, ss.40-45, 2002 (SCI-Expanded, Scopus)
2001
200123. First-order Raman spectra from In1-x-yGaxAlyAs epitaxial layers grown on InP substrates
Bulbul M. M., Farrant G., Smith S.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
, cilt.24, sa.1, ss.3-6, 2001 (SCI-Expanded, Scopus)
2001
200124. Effect of hydrogenation on the adsorption of Ge on Si(001)
Bulbul M. M., ÇAKMAK M., Srivastava G., Colakoglu K.
PHYSICAL REVIEW B
, cilt.64, sa.15, 2001 (SCI-Expanded, Scopus)
2001
200125. Infrared spectroscopic study on the T-d-type clathrates: Cd(Cyclohexylamine)(2)M(CN)(4)center dot 2C(6)H(6) (M = Cd or Hg)
Kantarci Z., Karabacak M., Bulbul M. M.
JOURNAL OF INCLUSION PHENOMENA AND MACROCYCLIC CHEMISTRY
, cilt.40, sa.4, ss.317-321, 2001 (SCI-Expanded, Scopus)
2001
200126. Infrared spectroscopic and gravimetric studies on the dicyclohexylaminemetal(II) tetracyanonickellate(II) host-aromatic guest systems
Kantarci Z., Bulbul M. M.
JOURNAL OF INCLUSION PHENOMENA AND MACROCYCLIC CHEMISTRY
, cilt.40, ss.105-116, 2001 (SCI-Expanded, Scopus)
2000
200027. Raman spectroscopy of optical phonons as a probe of GaN epitaxial layer structural quality
Bulbul M. M., Smith S., Obradovic B., Cheng T., Foxon C.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
, cilt.14, sa.3, ss.423-429, 2000 (SCI-Expanded, Scopus)
1998
199828. Far-infrared and Raman analysis of phonons and phonon interface modes in GaN epilayers on GaAs and GaP substrates
Mirjalili G., Parker T., Farjami Shayesteh S., BÜLBÜL M. M., Smith S., Cheng T., et al.
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
, cilt.57, sa.8, ss.4656-4663, 1998 (SCI-Expanded, Scopus)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
2023
20231. Hybrid organic-inorganic ZnO/PCBM electron transport layer with perovskite solar cell material CH3NH3PbI3in numerical simulation with SCAPS
Alaiawi A. A. L., BÜLBÜL M. M., Jafar A. M.
5th International Conference on Applied Sciences, ICAS 2023, Baghdad, Irak, 26 - 27 Ağustos 2023, cilt.3097, (Tam Metin Bildiri)
2018
20182. Electrical characteristics of Au/n-Si structure with perylene interfacial layer at room temperature
BENGİ S., BÜLBÜL M. M.
5th International Conference on Materials Science and Nanotechnology for Next Generation, 4 - 06 Haziran 2018, (Tam Metin Bildiri)
2018
20183. The effect of illumination on the electrical characterization of Al/HfO2/p-Si MOS device
YÜKSELTÜRK E., BENGİ S., BÜLBÜL M. M.
5th International Conference on Materials Science and Nanotechnology for Next Generation, 4 - 06 Ekim 2018, (Özet Bildiri)
2018
20184. Electrical propertiesof Al/HfO2/p-Si MOS device in dark and under 250 W illuminationlevel,
YÜKSELTÜRK E., BENGİ S., BÜLBÜL M. M.
2nd International Conference on Innovations in NaturalScience and Engineering, KYİV, Ukrayna, 7 - 10 Eylül 2018, (Özet Bildiri)
2018
20185. Capacitance-voltage and Conductance-voltageCharacteristics of Au/C20H12/n-Si Structure at high temperatures
BENGİ S., YÜKSELTÜRK E., BÜLBÜL M. M.
2nd International Conference on Innovations in Natural Science and Engineering, Kye, Ukrayna, 7 - 10 Eylül 2018, (Özet Bildiri)
2018
20186. Capacitance - voltage and Conductance - voltage Characteristics of Au/ C20H12/n-Si Structure at high temperatures
BENGİ S., YÜKSELTÜRK E., BÜLBÜL M. M.
2nd International Conference on Innovations in Natural Science and Engineering, 7 - 09 Eylül 2018, (Özet Bildiri)
2017
20177. Al/P3HT/p-Si (MPS) Schottky Diyotlarının Oda Sıcaklığında Akım-Gerilim Karakteristiklerinin I-V, Norde ve Cheung Metodu Kullanılarak İncelenmesi
YÜKSELTÜRK E., ÇOTUK M., BÜLBÜL M. M., ZEYREK S.
23. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 22 Aralık 2017, (Özet Bildiri)
2017
20178. On the profıle of temperature dependent main electrical parameters inAl/P3HT/p-Si (MPS) structures at low temperatures
YÜKSELTÜRK E., ÇOTUK M., BÜLBÜL M. M., ALTINDAL Ş., ZEYREK S.
InternationalCongress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD-2017), Konya, Türkiye, 17 - 19 Ağustos 2017, (Özet Bildiri)
2017
20179. THE INVESTIGATION OF FREQUENCY AND VOLTAGE DEPENDENCE ON ELECTRIC CHARACTERISTICS OF Al/P3HT/ P-Si (MPS) STRUCTURES
YÜKSELTÜRK E., ÇOTUK M., BÜLBÜL M. M., ALTINDAL Ş., ZEYREK S.
INTERNATIONAL CONGRESS ON SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICES, 17 - 19 Ağustos 2017, (Özet Bildiri)
2015
201510. The Effects of Illumination on Electrical Parameters of Au/P3HT/n-Si Schottky Barrier Diode
Yukselturk E., Bulbul M. M., Zeyrek S.
9th International Physics Conference of the Balkan-Physical-Union (BPU), İstanbul, Türkiye, 24 - 27 Ağustos 2015, cilt.1722, (Tam Metin Bildiri)
2002
200211. Surface behaviour of plasma etched photodetector in a planar gas discharge image converter, Malmö, Sweden
BÜLBÜL M. M., KURT H. H., salamov b.
7th International Conference on Nanometer-Scale Science and Technology, (ECOSS-21), 14 - 16 Haziran 2002, (Özet Bildiri)
Desteklenen Projeler
2009 - 2011
2009 - 2011Yarıiletken katotlu gaz boşalma sistemin incelenmesi
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Diğer
BÜLBÜL M. M. (Yürütücü)
2008 - 2009
2008 - 2009Metal/Gap ve Metal/Inp (Ms) Yapıların Hazırlanması, Elektriksel ve Dielektrik Özelliklerinin Sıcaklık ve Frekansa Bağlı İncelenmesi
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje , BAP Araştırma Projesi
BÜLBÜL M. M. (Yürütücü)
2001 - 2006
2001 - 2006Gazi Üniversitesi İleri Araştırma ve Eğitim Programı DPT Projesi 2001K120590
Diğer Resmi Kurumlarca Desteklenen Proje
Bülbül M. M.
2000 - 2002
2000 - 2002Moleküler Dinamik Method Kullanılarak Yarıiletkenlerin Büyütme Modellemesi ve ab initio Elektronik Band Yapısı Hesabı Tübitak Projei TBAG 1950 100T073
TÜBİTAK Projesi , 1001 - Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı
Bülbül M. M., Çakmak M.