Prof. Dr. MEHMET KASAP | AVESİS

Akademik Veri Yönetim Sistemi

Akademik İdari Deneyim

Akademik Unvanlar

2006 - Devam Ediyor Prof. Dr.

Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
2000 - 2006 Doç. Dr.

Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
1996 - 2000 Yrd. Doç. Dr.

Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
1985 - 1996 Araştırma Görevlisi

Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik

Akademi Dışı Deneyim

1996 - Devam Ediyor Öğretim Üyesi

Gazi Üniversitesi

Verdiği Dersler

Lisans YARIİLETKEN FİZİĞİ
Lisans TEMEL FİZİK II (ELEKTRİK)
Lisans Maddenin Özellikleri
Yüksek Lisans YARIİLETKEN FİZİĞİ
Lisans TEMEL FİZİK I (MEKANİK)

Yönetilen Tezler

Au(Mgo-Pvp)/N-Si (Mps) Yapıların Hazırlanması,Yapısal Ve Frekansa Bağlı Elektrik Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi

KASAP M. (Danışman)

A.EROĞLU(Öğrenci), Doktora, 2021
Farklı Yönelimli Safir Alttaşlar Üzerine Sisli Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemiyle Büyütülen Zno Filmlerin Yapısal Ve Elektriksel Özelliklerin İncelenmesi

KASAP M. (Danışman)

M.YAYLA(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2021
Adli bilimler açısından atış artıkları analiz teknikleri ve kriminal uygulamaları

KASAP M. (Danışman)

İ.KARA(Öğrenci), Doktora, 2014
InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

P.NARİN(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2014
InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi

KASAP M. (Danışman)

E.BOYALI(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2013
Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri

KASAP M. (Danışman)

E.YAZBAHAR(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2012
InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

P.TUNAY(Öğrenci), Doktora, 2010
AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

S.BORA(Öğrenci), Doktora, 2008
InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

A.YILDIZ(Öğrenci), Doktora, 2008
AlGaN/GaN TEMELLİ YÜKSEK ELEKTRON HAREKETLİLİKLİ TRANSİSTÖRLERİN (HEMT) ELEKTRON VE MANYETO İLETİM ÖZELLİKLERİ

KASAP M. (Danışman)

S.Bora(Öğrenci), Doktora, 2008
LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

İ.KARA(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2006
MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

S.BORA(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2005
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

Ü.YURDUGÜL(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2005
GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi

KASAP M. (Danışman)

A.YILDIZ(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004
InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi

KASAP M. (Danışman)

D.DEMİR(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004
LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

N.KEREM(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

KASAP M. (Danışman)

B.YASEMİN(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004
GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon

KASAP M. (Danışman)

S.ACAR(Öğrenci), Doktora, 2003
In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları

KASAP M. (Danışman)

S.DEMİREZEN(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2001