Akademik Unvanlar
-
2006 - Devam Ediyor Prof.Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
-
2000 - 2006 Doç.Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
-
1996 - 2000 Yrd.Doç.Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
-
1985 - 1996 Araştırma Görevlisi
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
Akademi Dışı Deneyim
-
1996 - Devam Ediyor Öğretim Üyesi
Gazi Üniversitesi
Verdiği Dersler
Yönetilen Tezler
-
Au(Mgo-Pvp)/N-Si (Mps) Yapıların Hazırlanması,Yapısal Ve Frekansa Bağlı Elektrik Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi
KASAP M. (Danışman)
-
Farklı Yönelimli Safir Alttaşlar Üzerine Sisli Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemiyle Büyütülen Zno Filmlerin Yapısal Ve Elektriksel Özelliklerin İncelenmesi
KASAP M. (Danışman)
-
Adli bilimler açısından atış artıkları analiz teknikleri ve kriminal uygulamaları
KASAP M. (Danışman)
-
InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
-
InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi
KASAP M. (Danışman)
-
Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri
KASAP M. (Danışman)
-
InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
-
AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
S.BORA(Öğrenci), Doktora, 2008 -
InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
-
AlGaN/GaN TEMELLİ YÜKSEK ELEKTRON HAREKETLİLİKLİ TRANSİSTÖRLERİN (HEMT) ELEKTRON VE MANYETO İLETİM ÖZELLİKLERİ
KASAP M. (Danışman)
-
LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
İ.KARA(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2006 -
MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
S.BORA(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2005 -
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
Ü.YURDUGÜL(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2005 -
GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi
KASAP M. (Danışman)
A.YILDIZ(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004 -
InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi
KASAP M. (Danışman)
D.DEMİR(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004 -
LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
N.KEREM(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004 -
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
B.YASEMİN(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2004 -
GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
KASAP M. (Danışman)
S.ACAR(Öğrenci), Doktora, 2003 -
In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları
KASAP M. (Danışman)
S.DEMİREZEN(Öğrenci), Yüksek Lisans, 2001
