Makaleler
44
Tümü (44)
SCI-E, SSCI, AHCI (32)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (34)
ESCI (2)
Scopus (33)
TRDizin (2)
Diğer Yayınlar (10)
4. The effect of annealing temperature on surface roughness and certain optical characteristics of sol-gel spin-coated Nb2O5 thin films
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
, cilt.24, sa.3-4, ss.151-161, 2022 (SCI-Expanded)
10. The effects of annealing temperature on RF-coated GZO thin films on n-Si and PET substrates N-Si ve PET alttaşlar üzerine RF-kaplanan GZO ince filmlere tavlama sicakliǧinin etkileri
Journal of the Faculty of Engineering and Architecture of Gazi University
, cilt.34, sa.4, ss.1757-1763, 2019 (SCI-Expanded)
14. ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF A NOVEL METAL–SEMICONDUCTOR AU/ALPC-H/P-SI/AL ORGANIC DIODE
Algerian Journal of Research and Technology (A.J.R.T)
, cilt.2, sa.1, ss.49-55, 2017 (Hakemli Dergi)
26. Study on growth and characterizations of GaxIn1-xP/GaAs solar cell structure
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.24, sa.9, ss.3269-3274, 2013 (SCI-Expanded)
27. Stable blue luminescence of porous silicon
Journal of Materials Science and Engineering A
, cilt.3, sa.9, ss.609-614, 2013 (Hakemli Dergi)
28. Porous Silicon Volume Specific Surface Area Determination from AFM Measurement Data
Journal of Materials Science and Engineering B
, cilt.3, sa.8, ss.518-523, 2013 (Hakemli Dergi)
29. Effect of alloy composition on structural, optical and morphological properties and electrical characteristics of GaxIn1-xP/GaAs structure
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.24, sa.4, ss.1375-1381, 2013 (SCI-Expanded)
30. Electrical characterization of Au/ZnO/TiO2/n-Si and (Ni/Au)/ZnO/TiO2/n-Si Schottky diodes by using current-voltage measurements
JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
, cilt.14, sa.11-12, ss.959-963, 2012 (SCI-Expanded)
34. The analysis of Au/TiO2/n-Si schottky barrier diode at high temperatures using I-V characteristics
Optoelectronics and Advanced Materials, Rapid Communications
, cilt.5, sa.4, ss.434-437, 2011 (SCI-Expanded)
35. The C-V(f)and Gw-V(f) Characteristics of Au / SrTiO3 / n-Si Schottky Barrier Diodes SBDs With Interfacial Layer
Azerbaijan Journal of Physics, Fizika
, cilt.16, sa.2, ss.223-226, 2010 (Hakemli Dergi)
36. Characterization of MBE Grown InGaAs / GaAs Quantum Well Solar Cells (QWSCs)
Azerbaijan Journal of Physics, Fizika
, cilt.16, sa.2, ss.460-462, 2010 (Hakemli Dergi)
38. Temperature Dependence Electrical Characteristics of n-GaAs Structure Grown by MBE
Azerbaijan Journal of Physics, Fizika
, cilt.16, sa.2, ss.335-338, 2010 (Hakemli Dergi)
40. Effect of thermal annealing on the structural properties of TiO2 thin film prepared by RF sputtering
Azerbaijan Journal of Physics, Fizika
, cilt.16, sa.2, ss.250-253, 2010 (Hakemli Dergi)
42. Effects of annealing on the structural properties of GaAs-based quantum well solar cells
JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
, cilt.11, sa.11, ss.1627-1631, 2009 (SCI-Expanded)
43. Series resistance effect on I-V characteristics of Au / n-InP Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 80-400 K
Azerbaijan Journal of Physics, Fizika
, cilt.15, sa.2, ss.195-198, 2009 (Hakemli Dergi)
44. Epitaxial Growth and Characterization of GaAs1-XPx / GaAs Structure
Balkan Physics Letters
, cilt.15, sa.1, ss.151049, 2009 (Hakemli Dergi)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
88
4. “Sol-gel Spin Coated Nb2O5 Thin Films with Different Thicknesses
2nd International Conference on Light and Light-Based Technologies, Ankara, Türkiye, 26 - 28 Mayıs 2021, ss.108, (Özet Bildiri)
7. The Thin Film Thickness Effect on the Proporties of In2O3
6th Interational Conferance “Nanotechnology and Nanomaterials”, Kyyiv, Ukrayna, 27 - 30 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)
8. Study on Characterizations of double-junction GaAsP two-color LED Structure
1 st Light and Light-Based Technologies Workshop, Ankara, Türkiye, 15 Mayıs 2018, (Özet Bildiri)
9. Effect of Proton Radiation on Multi Junction III-V Space Solar Cells
1st Light and Light-Based Technologies Workshop, Türkiye, 15 Mayıs 2018, (Özet Bildiri)
10. The Improvement of the Optical Transmissionon the Sb-doped Ge Optical Window with ZnS ARC
Italian Crystal Growth Conference (ICG2017), Milan, İtalya, 20 - 21 Ekim 2017, (Özet Bildiri)
11. Electrical Properties of Dilute Nitride GaAsPN/GaPN MQW p-i-n Diode
Turkish Physical Society 33th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 6 - 10 Eylül 2017, (Özet Bildiri)
12. Seyreltik Azotlu GaAsPN Kuantum kuyu Yapısının MBE Tekniği ile büyütülmesi yapısal ve elektronik karakterizasyonu
22. yoğun Madde Fiziği, Ankara Toplantısı-Ankara Üniversitesi, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
13. In0.15Ga0.85N/GaN Kuantum Kuyulu Güneş Hücresinin Modellenmesi
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
14. Pt Katkılı SnO2 Tabanlı Gaz Sensörü Geliştirilmesi
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
15. Seyreltik Azotlu GaAsPN/GaPN Kuantum Kuyu Yapısının MBE Tekniği ile Büyütülmesi Yapısal ve Elektriksel Karakterizasyonu
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
16. InGaAs ve Ge MSM Kızılötesi Fotodedektörler
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
19. Seyreltik Azotlu GaP1 x yAsyNx p n Eklem Yapıların MBE Tekniği İle Büyütülmesi Yapısal Optik Ve Elektriksel Karakterizasyonu
18. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Çalıştayı, Ankara, Türkiye, 23 Eylül 2016
20. Seyreltik Azotlu GaP1-x-yAsyNx p-n Eklem Yapılarının MBE Tekniği ile Büyütülmesi Yapısal Optik ve Elektriksel Karakterizasyonu
18. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Çalıştayı, FOTONİK 2016, Ankara, Türkiye, 23 Eylül 2016, (Özet Bildiri)
21. The Properties of Low Temperature Operated In2O3 Gas Sensor for Butane Sensing
International Research and Practice Conference: Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2016), Lviv, Ukrayna, 24 - 27 Ağustos 2016, (Özet Bildiri)
22. GaP/Si Yapılarının MBE Tekniği ile Büyütülmesi ve Karakterizasyonları
Adım Fizik Günleri V, Eskişehir, Türkiye, 21 - 23 Nisan 2016, (Özet Bildiri)
23. Tavlamanın Katkısız SnO2 İnce Filmlerin Yapısal ve Optik Özelliklerine Etkisi
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, ss.60
24. Seyreltik Azotlu GaP1-xNx ve GaP1-x-yAsyNx Yarıiletken Yapılarının MBE Tekniği ile Büyütülmesi ve Karakterizasyonu
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
25. Sb Katkılı Hacimli Germanyum Tek Kristal Büyütülmesi ve Karakterizasyonu
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
26. Tavlamanın katkısız SnO2 ince filmlerin yapısal ve optik özelliklerine etkisi
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
27. a-Ge/c-Ge İnce Filmlerin Üretimi, Yapısal ve Elektriksel Karakterizasyonu
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
28. Pt Katkılı SnO2 İnce Filmlerin Eş-Püskürtme Tekniği ile Geliştirilmesi: Yapısal, Morfolojik ve Optik Karakterizasyon
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
29. Electrical, Optical And Structural Properties of SnO2 Thin Films
9th International Physics Conference of the Balkan Physical Union – BPU9, İstanbul, Türkiye, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
30. The Sputter Power Effect On Morphological and Optical Properties Of SnO2 Thin Films
9th International Physics Conference of the Balkan Physical Union – BPU9, İstanbul, Türkiye, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
31. AlGaAs tünel diyot entagrasyonlu GaInP/GaAs güneş hücre yapısının performansı
20. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
32. Katkısız Germanyum Tek Kristal Büyütülmesi ve Yapısal Optik Karakterizasyonu
20. Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Ankara, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
33. AlGaAs tünel diyot entagrasyonlu GaInP GaAs güneş hücre yapısının performansı üzerine çalışma
20. Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Ankara, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
34. AlGaAs tünel diyot entagrasyonlu GaInP GaAs güneş hücre yapısının performansı üzerine çalışma
20. Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Ankara, Türkiye, 26 Aralık 2014, ss.37, (Özet Bildiri)
35. Germanyum Alttaş Üretimi: İlk Çalışmalar
20. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
36. AuZn TiO2 p GaAs 110 Schottky Bariyer Diyotlarda Dielektrik ve Empedans Spektroskopisi
20. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 26 Aralık 2014, ss.79
38. SnO2 Yansıma Önleyici Kaplamanın InGaAs GaAs Süperörgü Yapılarının Optik ve Elektriksel Özelliklerine Etkisi
20. Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Ankara, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
39. Investigation of Quantum Well Number Effects on The InGaAs GaAs Quantum Well Solar Cells
Turkish Physical Society 31th International Physics Congress, BODRUM, Türkiye, 21 - 24 Temmuz 2014
40. Investigation of Quantum Well Number Effects on The InGaAs/GaAs Quantum Well Solar Cell
Turkish Physical Society 31th International Physics Congress (TFD 31), Muğla (Bodrum), Türkiye, 21 - 24 Temmuz 2014, (Özet Bildiri)
41. Temperature dependent hall effect studies on the InxGa1 xAs InP MSM infrared photodetectors
XXIII International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moskva, Rusya, 28 - 30 Mayıs 2014
42. Hacimli Tek Kristal Ge Büyütülmesi ve Optik Karakterizasyonu
19. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 20 Aralık 2013, (Özet Bildiri)
43. InGaAs InP Yapılarının Yapısal ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi
19. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 20 Aralık 2013, ss.69
44. ZnO/p-Si Filmlerinin Foto-Duyarlılıklarının İncelenmesi
19. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 20 Aralık 2013, (Özet Bildiri)
45. n-GaP/Si Yapılarının Büyütülmesi ve Yapısal Analizleri
19. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 20 Aralık 2013, (Özet Bildiri)
46. Theoretical and Experimental Study of a Thermophotovoltaic System Based on Germanium
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, ss.407
47. The structural, morphological and electrical characterizations of GaxIn1-xP/GaAs/Ge triple junction solar cell structure
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
48. Epitaxial growth and characterization of GaP on Si substrate
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
49. The electrical properties of the TiO2 Ar coated InGaAs/GaAs SLSCs
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
50. Study on the designs of concentrator for cpv systems
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
52. The Characterızatıons of The InGaAs InP Infrared Photodetector
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, ss.93
53. The structural and morphological characterizations of GaAs/Ge structure
NanoTR-9, Erzurum, Türkiye, 24 - 28 Haziran 2013, (Özet Bildiri)
54. Optical and Structural Properties of GaxIn1 xP Alloys Grown on Different Substrates
Second Turkish Solar Enegy Conference and Exhibition SolarTR-2, Antalya, Türkiye, 7 - 09 Kasım 2012, ss.105
55. Optical properties of ZnO thin film deposited on flixible transparent substrate at room temperature by DC magnetron sputtering
Second Turkish Solar Energy Conference and Exhibition SolarTR-2, Antalya, Türkiye, 7 - 09 Kasım 2012, ss.107, (Özet Bildiri)
56. Optical and Structural Properties of GaxIn1-xP Alloys Grown on Different Substrate
SOLARTR-2 Solar Electricity ConferenceExhibition, Antalya, Türkiye, 7 - 09 Kasım 2012, (Özet Bildiri)
57. Investigation of the Photovoltaic Properties of InGaP/GaAs/Ge Solar Cells
SOLARTR-2 Solar Electricity ConferenceExhibition, Antalya, Türkiye, 7 - 09 Kasım 2012, (Özet Bildiri)
58. SiN4 AR Coating Effect to the InGaAs/GaAs QWSCs
Turkish Physical Society 29th International Physics Congress, BODRUM, MUĞLA, Türkiye, 5 - 08 Eylül 2012, (Özet Bildiri)
59. Si3N4 AR Coating Effect to the InGaAs GaAs QWSCs
Turkish Physical Society 29th International Physics Congress, BODRUM, Türkiye, 5 - 08 Eylül 2012, ss.496
60. The forward bias current-voltage characteristics of (Ni/Au)/ZnO/TiO2/n-Si Scothky diodes
International Student Workshop on Condensed Matter and Materials Pyhsics, Antalya, Türkiye, 27 - 31 Aralık 2011, (Özet Bildiri)
61. GaAs güneş hücrelerinin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisi
18. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Kasım 2011, (Özet Bildiri)
62. ZnO/p-Si Güneş Hücrelerinin Fabrikasyonu
18. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 25 Kasım 2011, (Özet Bildiri)
63. Çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisinin incelenmesi
18. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 25 Kasım 2011, (Özet Bildiri)
64. GaAs güneş hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisi
18. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 25 Kasım 2011, (Özet Bildiri)
65. The Fabrication of ZnO Thin Films The Effects of Oxygen Addition
Turkish Physical Society 28th International Physics Congress, BODRUM, Türkiye, 6 - 09 Eylül 2011, ss.664
66. Current-voltage (I-V) characteristics of Au/ZnO/TiO2/n-Si structure at room temperature
Turkish Physical Society 28th International Physics Congress, BODRUM, MUĞLA, Türkiye, 5 - 08 Eylül 2011, (Özet Bildiri)
67. The Fabrication of ZnO Thin Films Effect of Oxygen Addition
Turkish Physical Society 28th International Physics Congress, BODRUM, MUĞLA, Türkiye, 5 - 08 Eylül 2011, (Özet Bildiri)
68. Investigation of the Photovoltaic Properties of p n Junction Ge Obtained by Arsenic Diffusion
Turkish Physical Society 27th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 14 - 17 Eylül 2010, ss.515
69. Structural and optical properties of the TiO2 thin film on p-Si
Turkish Physical Society 27th International Physics Con, İstanbul, Türkiye, 14 - 17 Eylül 2010, (Özet Bildiri)
70. InGaAs/GaAs multi quantum well structure: MBE growth and characterization
Turkish Physical Society 27th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 14 - 17 Eylül 2010, (Özet Bildiri)
71. Characterization of MBE Grown InGaAs GaAs Quantum Well Solar Cells QWSCs
International Conferance – Physics 2010, Baku, Azerbaycan, 30 Haziran - 02 Temmuz 2010
72. GaInP and InGaAs Quantum Well Solar Cells QWSCs
First Turkish Solar Enegy Conference and Exhibition SolarTR-1, Ankara, Türkiye, 29 - 30 Nisan 2010, ss.18
73. Tavlama Sıcaklığının TiO2 filmleri Üzerindeki Etkisi
16. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Türkiye, 06 Kasım 2009, (Özet Bildiri)
74. InxGa1-xAs /GaAs Çoklu Kuantum Kuyu Yapısının MBE Tekniği ile Büyütülmesi: Yapısal ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi
16. Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Ankara, Türkiye, 06 Kasım 2009, ss.98, (Özet Bildiri)
75. Au SrTiO3 n Si Yapısındaki Derin Seviyelerin Tavlamaya Bağlı DLTS Metodu ile Karakterizasyonu
16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 06 Kasım 2009, ss.92
77. Effect of different As/P on the optical and structural properties of GaAs1- xPx/GaAs
13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 09), Antalya, Türkiye, 18 - 23 Ekim 2009, (Özet Bildiri)
78. Interface state density analyzing of Au TiO2 rutile n Si Schottky barrier diode
13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Antalya, Türkiye, 18 - 23 Ekim 2009, ss.322, (Özet Bildiri)
79. Interface States Density Analyzing of Au/TiO2 (Rutile)/n-Si Schottky Barrier Diode
13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Antalya, Türkiye, 18 - 23 Ekim 2009, (Özet Bildiri)
80. Annealing influences on the structural properties of InGaAs GaAs quantum well solar cell QWSC samples
13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Antalya, Türkiye, 18 - 23 Ekim 2009, ss.321
81. Effect of Different As/P Ratio on the Optical and Structural Properties of GaAs1-xPx/GaAs
13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, Antalya, Türkiye, 18 - 23 Ekim 2009, (Özet Bildiri)
82. Epitaxial growth and characterization of GaAs1 xPx GaAs structures
Turkısh Physıcal Society 25thInternational Physical Congress, BODRUM, Türkiye, 25 Ağustos 2008 - 29 Ağustos 2009, ss.145
83. InP/InP ve InGaAs/InP Yapılarının MBE ile Büyütülmesi: Kırılma İndisi ve Tabaka Kalınlıklarının Belirlenmesi
15. Yoğun Madde Fiziği, Türkiye, 07 Kasım 2008, (Özet Bildiri)
84. InP InP ve GaAsP Yapılarının MBE ile Büyütülmesi Kırılma İndisi ve Tabaka Kalınlıklarının Belirlenmesi
15. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 07 Kasım 2008, ss.63
85. InxGa1 xAs GaAs Çoklu Kuantum Kuyulu Fotodedektör Yapısının MBE ile Büyütülmesi ve Yapısal Analizi
15. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 07 Kasım 2008, ss.64
86. InxGa1-xAs/GaAs Çoklu kuantum Kuyulu Kuantum Fotodedektör Yapısının MBE ile Büyütülmesi Ve Yapısal Analizi
15.Yoğun Madde Fiziği, Türkiye, 07 Kasım 2008, (Özet Bildiri)
87. InGAAs/GaAs Yapılarının MBE ile Büyütülmesi ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi
15. Yoğun Madde Fiziği, Türkiye, 07 Kasım 2008, (Özet Bildiri)
88. Temperature dependence Photoluminescence Study of GaAs1-xPx/GaAs Structure
Fifth International Scientific-Technical Conference: Topical Problems of Physics, Baku, Azerbaycan, 25 - 27 Haziran 2008, (Özet Bildiri)