Metrikler
Yayın
109
Açık Erişim
32
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Duyurular & Dokümanlar
Dosya İndir
Eğitim Bilgileri
1990 - 1994
1990 - 1994Doktora
University of Surrey, İngiltere
1985 - 1989
1985 - 1989Yüksek Lisans
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye
1981 - 1985
1981 - 1985Lisans
Fırat Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Mühendisliği Pr., Türkiye
Yaptığı Tezler
1994
1994Doktora
Temperature and Pressure Dependent of Electron Transport in Plastically Relaxed InxGa1-xAs
University of Surrey
1988
1988Yüksek Lisans
Enerji band hesaplamalarında APW metodu ve bazı geçiş elementlerine uygulanması
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli)
Araştırma Alanları
Yüzeyler ve arayüzeyler; İnce filmler ve nanosistemler
Bulk malzemenin elektronik yapısı
Elektronik yapı, arayüzeylerin, ince filmlerin ve düşük boyutlu yapıların elektrik özellikleri
Manyetik özellikler ve malzemeler
Optik özellikler, Yoğun madde spektroskopisi
Yoğun maddede elektronik taşınım
Akademik Ünvanlar / Görevler
2006 - Devam Ediyor
2006 - Devam EdiyorProf. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
2000 - 2006
2000 - 2006Doç. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
1996 - 2000
1996 - 2000Yrd. Doç. Dr.
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
1985 - 1996
1985 - 1996Araştırma Görevlisi
Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik
Akademi Dışı Deneyim
1996 - Devam Ediyor
1996 - Devam EdiyorÖğretim Üyesi
Gazi Üniversitesi, Öğretim Üyesi
Yönetilen Tezler
2021
2021Doktora
Au(Mgo-Pvp)/N-Si (Mps) Yapıların Hazırlanması,Yapısal Ve Frekansa Bağlı Elektrik Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi
KASAP M. (Danışman)
A.EROĞLU(Öğrenci)
2021
2021Yüksek Lisans
Farklı Yönelimli Safir Alttaşlar Üzerine Sisli Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemiyle Büyütülen Zno Filmlerin Yapısal Ve Elektriksel Özelliklerin İncelenmesi
KASAP M. (Danışman)
M.YAYLA(Öğrenci)
2014
2014Doktora
Adli bilimler açısından atış artıkları analiz teknikleri ve kriminal uygulamaları
KASAP M. (Danışman)
İ.KARA(Öğrenci)
2014
2014Yüksek Lisans
InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
P.NARİN(Öğrenci)
2013
2013Yüksek Lisans
InxGa1-xP/GaAs yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özelliklerinin incelenmesi
KASAP M. (Danışman)
E.BOYALI(Öğrenci)
2012
2012Yüksek Lisans
Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri
KASAP M. (Danışman)
E.YAZBAHAR(Öğrenci)
2010
2010Doktora
InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
P.TUNAY(Öğrenci)
2008
2008Doktora
AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
S.BORA(Öğrenci)
2008
2008Doktora
InxGa1-xN yarı iletkenin elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
A.YILDIZ(Öğrenci)
2008
2008Doktora
AlGaN/GaN TEMELLİ YÜKSEK ELEKTRON HAREKETLİLİKLİ TRANSİSTÖRLERİN (HEMT) ELEKTRON VE MANYETO İLETİM ÖZELLİKLERİ
KASAP M. (Danışman)
S.Bora(Öğrenci)
2006
2006Yüksek Lisans
LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
İ.KARA(Öğrenci)
2005
2005Yüksek Lisans
MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
S.BORA(Öğrenci)
2005
2005Yüksek Lisans
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
Ü.YURDUGÜL(Öğrenci)
2004
2004Yüksek Lisans
GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi
KASAP M. (Danışman)
A.YILDIZ(Öğrenci)
2004
2004Yüksek Lisans
InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi
KASAP M. (Danışman)
D.DEMİR(Öğrenci)
2004
2004Yüksek Lisans
LEC tekniği ile büyütülen bulk InAs yarıiletkenin magneto ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
N.KEREM(Öğrenci)
2004
2004Yüksek Lisans
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
KASAP M. (Danışman)
B.YASEMİN(Öğrenci)
2003
2003Doktora
GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
KASAP M. (Danışman)
S.ACAR(Öğrenci)
2001
2001Yüksek Lisans
In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları
KASAP M. (Danışman)
S.DEMİREZEN(Öğrenci)
Makaleler
Tümü (56)
SCI-E, SSCI, AHCI (56)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (56)
Scopus (54)
TRDizin (1)
2017
20171. Temperature dependent electron transport properties of degenerate SnO2 thin films
Boyali E., Baran V., ASAR T., Ozcelik S., Kasap M.
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
, cilt.692, ss.119-123, 2017 (SCI-Expanded, Scopus)
2016
20162. Evaluation of morphological and chemical differences of gunshot residues in different ammunitions using SEM/EDS technique
Kara I., Sarikavak Y., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
ENVIRONMENTAL FORENSICS
, cilt.17, sa.1, ss.68-79, 2016 (SCI-Expanded, Scopus)
2015
20153. The Relationship Between the Surface Morphology and Chemical Composition of Gunshot Residue Particles
Kara I., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Er E., Uzek U.
JOURNAL OF FORENSIC SCIENCES
, cilt.60, sa.4, ss.1030-1033, 2015 (SCI-Expanded, Scopus)
2015
20154. Electron Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in BexZn1-xO/ZnO Heterostructures
Atmaca G., Narin P., Lisesivdin S. B., Kasap M., Sarikavak-Lisesivdin B.
PHILOSOPHICAL MAGAZINE
, cilt.95, sa.1, ss.79-89, 2015 (SCI-Expanded, Scopus)
2015
20155. Analysis Of The Number Of Shots Using Graphite Furnace Atomic AbsorptionSpectrometry On The Gunshot Residues Deposited in The Barrel
KARA İ., YALÇINKAYA Ö., LİSESİVDİN S. B., KASAP M.
SYLWAN , cilt.159, sa.1, ss.14-26, 2015 (SCI-Expanded, Scopus)
2013
20136. Study on growth and characterizations of GaxIn1-xP/GaAs solar cell structure
Kınacı B., Özen Y., Asar T., Cetin S. Ş., Memmedli T., Kasap M., et al.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.24, sa.9, ss.3269-3274, 2013 (SCI-Expanded, Scopus)
2012
20127. Investigation of AlInN HEMT structures with different AlGaN buffer layers grown on sapphire substrates by MOCVD
Kelekci O., Tasli P., Cetin S. Ş., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E.
CURRENT APPLIED PHYSICS
, cilt.12, sa.6, ss.1600-1605, 2012 (SCI-Expanded, Scopus)
2012
20128. Electron transport properties in Al0.25Ga0.75N/AlN/GaN heterostructures with different InGaN back barrier layers and GaN channel thicknesses grown by MOCVD
Kelekci O., Tasli P. T., Yu H., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
, cilt.209, sa.3, ss.434-438, 2012 (SCI-Expanded, Scopus)
2011
20119. Epitaxial growth and electrical characterization of germanium
Bosi M., Attolini G., Ferrari C., Frigeri C., Calicchio M., Gombia E., et al.
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
, cilt.46, sa.8, ss.813-817, 2011 (SCI-Expanded, Scopus)
2011
201110. Grain Boundary Related Electrical Transport in Al-rich AlxGa1-xN Layers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Yildiz A., Tasli P., Sarikavak B., Lisesivdin S. B., Ozturk M. K., Kasap M., et al.
SEMICONDUCTORS
, cilt.45, sa.1, ss.33-36, 2011 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201011. Electron-Electron Interactions in Sb-Doped SnO2 Thin Films
Serin T., Yildiz A., SERİN N., Yildirim N., Ozyurt F., KASAP M.
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
, cilt.39, sa.8, ss.1152-1158, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201012. The substrate temperature dependent electrical properties of titanium dioxide thin films
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Mardare D.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.21, sa.7, ss.692-697, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201013. Double subband occupation of the two-dimensional electron gas in InxAl1-xN/AlN/GaN/AlN heterostructures with a low indium content (0.064 <= x <= 0.140) barrier
LİŞESİVDİN S. B., Tasli P., Kasap M., Ozturk M., Arslan E., Ozcelik S., et al.
THIN SOLID FILMS
, cilt.518, sa.19, ss.5572-5575, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201014. Scattering analysis of two-dimensional electrons in AlGaN/GaN with bulk related parameters extracted by simple parallel conduction extraction method
Lişesivdin S. B., Yildiz A., Balkan N., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.108, sa.1, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201015. Determination of the critical indium composition corresponding to the metal-insulator transition in InxGa1-xN (0.06 <= x <= 0.135) layers
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Tasli P., Ozbay E., Kasap M.
CURRENT APPLIED PHYSICS
, cilt.10, sa.3, ss.838-841, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201016. The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
Yildiz A., Kasap M.
LOW TEMPERATURE PHYSICS
, cilt.36, sa.4, ss.320-324, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201017. Analysis of defect related optical transitions in biased AlGaN/GaN heterostructures
Bengi A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Mammadov T., Ozcelik S., Ozbay E.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
, cilt.13, sa.2, ss.105-108, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201018. The thickness effect on the electrical conduction mechanism in titanium oxide thin films
Yildiz A., Serin N., Kasap M., Serin T., Mardare D.
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
, cilt.493, ss.227-232, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201019. Investigation of low-temperature electrical conduction mechanisms in highly resistive GaN bulk layers extracted with Simple Parallel Conduction Extraction Method
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E., Balkan N.
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
, cilt.98, sa.3, ss.557-563, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201020. Well parameters of two-dimensional electron gas in Al0.88In0.12N/AlN/GaN/AlN heterostructures grown by MOCVD
Tasli P., LİŞESİVDİN S. B., Yildiz A., Kasap M., Arslan E., Ozcelik S., et al.
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
, cilt.45, sa.2, ss.133-139, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2010
201021. Contributions of impurity band and electron-electron interactions to magnetoconductance in AlGaN
Tasli P., Yildiz A., Kasap M., Ozbay E., LİŞESİVDİN S. B., Ozcelik S.
PHILOSOPHICAL MAGAZINE
, cilt.90, sa.26, ss.3591-3599, 2010 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200922. Electrical conduction properties of Si delta-doped GaAs grown by MBE
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Altuntas H., Kasap M., Ozcelik S.
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
, cilt.404, sa.21, ss.4202-4206, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200923. Crossover from Nearest-Neighbor Hopping Conduction to Efros-Shklovskii Variable-Range Hopping Conduction in Hydrogenated Amorphous Silicon Films
Yildiz A., SERİN N., Serin T., KASAP M.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.48, sa.11, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200924. The effect of intrinsic defects on the hole transport in Cu2O
Yildiz A., Serin N., Serin T., Kasap M.
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
, cilt.3, sa.10, ss.1034-1037, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200925. Structural, electrical and optical characterization of InGaN layers grown by MOVPE
Yildiz A., Kemal O. M., Bosi M., Ozcelik S., Kasap M.
CHINESE PHYSICS B
, cilt.18, sa.9, ss.4007-4012, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200926. DX-center energy calculation with quantitative mobility spectrum analysis in n-AlGaAs/GaAs structures with low Al content
LİŞESİVDİN S. B., Altuntas H., Yildiz A., Kasap M., Ozbay E., Ozcelik S.
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
, cilt.45, sa.6, ss.604-611, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200927. Numerical optimization of Al-mole fractions and layer thicknesses in normally-on AlGaN-GaN double-channel high electron mobility transistors (DCHEMTs)
Atmaca G., Elibol K., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Ozbay E.
JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
, cilt.11, sa.5, ss.578-582, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200928. Large zero-field spin splitting in AlGaN/AlN/GaN/AlN heterostructures
LİŞESİVDİN S. B., Balkan N., Makarovsky O., Patane A., Yildiz A., Caliskan M. D., et al.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.105, sa.9, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200929. Non-adiabatic small polaron hopping conduction in Nb-doped TiO2 thin film
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Mardare D.
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
, cilt.404, ss.1423-1426, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200930. Anomalous temperature dependence of the electrical resistivity in In0.17Ga0.83N
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Bosi M.
SOLID STATE COMMUNICATIONS
, cilt.149, ss.337-340, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2009
200931. Comparison of the transport properties of high quality AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures
TÜLEK R., ILGAZ A., GÖKDEN S., TEKE A., Ozturk M. K., KASAP M., et al.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.105, sa.1, 2009 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200832. Electrical properties of TiO(2) thin films
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Mardare D.
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
, cilt.354, ss.4944-4947, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200833. Growth parameter investigation of Al0.25Ga0.75N/GaN/AlN heterostructures with Hall effect measurements
LİŞESİVDİN S. B., Demirezen S., Caliskan M. D., Yildiz A., Kasap M., Ozcelik S., et al.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
, cilt.23, sa.9, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200834. The persistent photoconductivity effect in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire and SiC substrates
Arslan E., Butun S., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
, cilt.103, sa.10, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200835. Stokes shift and band gap bowing in InxGa1-xN (0.060 <= x <= 0.105) grown by metalorganic vapour phase epitaxy
Yildiz A., Dagdelen F., ACAR S., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., AYDOĞDU Y., et al.
ACTA PHYSICA POLONICA A
, cilt.113, sa.2, ss.731-739, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200836. Determination of two-dimensional electron and hole gas carriers in AlGaN/GaN/AlN heterostructures grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
ACAR S., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Oezcelik S., Oezbay E.
THIN SOLID FILMS
, cilt.516, sa.8, ss.2041-2044, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2008
200837. Self-consistent scattering analysis of Al0.2Ga0.8N/AlN/GaN/AlN heterostructures grown on 6H-SiC substrates using photo-Hall effect measurements
LİŞESİVDİN S. B., Arslan E., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E.
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
, cilt.20, sa.4, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200738. The effect of strain relaxation on electron transport in undoped Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures
LİŞESİVDİN S. B., Yildiz A., ACAR S., Kasap M., Oezcelik S., Oezbay E.
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
, cilt.399, sa.2, ss.132-137, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200739. Electron transport in Ga-rich InxGa1-xN alloys
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., Kasap M., Bosi M.
CHINESE PHYSICS LETTERS
, cilt.24, sa.10, ss.2930-2933, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200740. Electronic transport characterization of AlGaN/GaN heterostructures using quantitative mobility spectrum analysis
LİŞESİVDİN S. B., Yildiz A., ACAR S., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E.
APPLIED PHYSICS LETTERS
, cilt.91, sa.10, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200741. Temperature-dependent electron transport in In0.5Ga0.5P/GaAs grown by MOVPE
ACAR S., Yildiz A., Kasap M., Bosi M.
CHINESE PHYSICS LETTERS
, cilt.24, sa.8, ss.2373-2375, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200742. Scattering analysis of 2DEG carrier extracted by QMSA in undoped Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures
LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., Kasap M., Ozcelik S., Gokden S., Ozbay E.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
, cilt.22, sa.5, ss.543-548, 2007 (SCI-Expanded, Scopus)
2007
200743. High temperature variable-range hopping conductivity in undoped TiO2 thin film
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., Kasap M., Mardare D.
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
, cilt.1, sa.10, ss.531-533, 2007 (SCI-Expanded)
2007
200744. Optimization of alloy composition, interlayer and barrier thicknesses in AlxGa1-xN/(AlN)/GaN high electron mobility transistors
LİŞESİVDİN S. B., Yildiz A., Kasap M.
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS
, cilt.1, sa.9, ss.467-470, 2007 (SCI-Expanded)
2005
200545. Quantitative mobility spectrum analysis for determination of electron and magneto transport properties of Te-doped GaSb
ACAR S., Kasap M., Isik B., Ozcelik S., Tugluoglu N., Karadeniz S.
Chinese Physics Letters
, cilt.22, sa.9, ss.2363-2366, 2005 (SCI-Expanded, Scopus)
2005
200546. Temperature-dependent galvanomagnetic measurements on doped InSb and InAs grown by liquid encapsulated czochralski
Kasap M., ACAR S., Ozcelik S., Karadeniz S., Tugluoglu N.
Chinese Physics Letters
, cilt.22, sa.5, ss.1218-1221, 2005 (SCI-Expanded, Scopus)
2004
200447. The temperature dependence of electron and magneto transport properties in Te-doped InSb
Kasap M., ACAR S.
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
, cilt.201, sa.14, ss.3113-3120, 2004 (SCI-Expanded, Scopus)
2004
200448. Temperature-dependent barrier characteristics of inhomogeneous in/p-Si (100) Schottky barrier diodes
Tugluoglu N., Karadeniz S., ACAR S., Kasap M.
CHINESE PHYSICS LETTERS
, cilt.21, sa.9, ss.1795-1798, 2004 (SCI-Expanded, Scopus)
2004
200449. Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in Ag/p-Si (100) Schottky barrier diodes
ACAR S., Karadeniz S., Tugluoglu N., Selcuk A., Kasap M.
APPLIED SURFACE SCIENCE
, cilt.233, ss.373-381, 2004 (SCI-Expanded, Scopus)
2004
200450. Conductivity, Hall and magnetoresistance effect measurements on SIGaAs and InP
ACAR S., Kasap M.
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
, cilt.201, sa.7, ss.1551-1557, 2004 (SCI-Expanded)
2000
200051. Prebreakdown current behaviour in the ionization cell with a semiconductor cathode
Salamov B., Kasap M., Lebedeva N.
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
, cilt.33, sa.17, ss.2192-2195, 2000 (SCI-Expanded, Scopus)
2000
200052. The simulation of the two-dimensional Ising model in the presence of an external magnetic field on the Creutz cellular automaton
Kutlu B., Kasap M., Turan S.
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS C
, cilt.11, sa.3, ss.561-572, 2000 (SCI-Expanded, Scopus)
1999
199953. The concentration of currents on the artificial surface inhomogeneities of semiconducting cathodes in ionization cells
Salamov B., Ozer M., Kasap M., Altindal Ş.
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
, cilt.32, sa.6, ss.682-687, 1999 (SCI-Expanded, Scopus)
1997
199754. The temperature and pressure dependence of electron transport in plastically relaxed InxGa1-xAs
Kasap M., Lancefield D.
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
, cilt.199, sa.2, ss.481-493, 1997 (SCI-Expanded, Scopus)
1997
199755. The rapid visualization of resistivity inhomogeneities in high-resistivity semiconductor films
Salamov B., Civi M., Altindal Ş., Kasap M., BULUR E.
JOURNAL OF INFORMATION RECORDING
, cilt.23, sa.5, ss.437-445, 1997 (SCI-Expanded, Scopus)
1996
199656. Impurity conduction in InxGa1-xAs
KASAP M., ÖZER M., Çolakoǧlu K.
Turkish Journal of Physics
, cilt.20, sa.7, ss.740-746, 1996 (SCI-Expanded, Scopus, TRDizin)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
2021
20211. Determination of Structural and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown By Mist-Cvd Method on Sapphire with Different Orientations
Yayla M., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
Turkish Physical Society 37th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 01 Eylül 2021, ss.236, (Özet Bildiri)
2017
20172. The Study on Antimony Diffusion in Gallium-Doped Germanium Grown by Chochralski Technique
Baran V., Çat Y., Akın Sönmez N., Özen Y., Kasap M., Özçelik S.
Turkish Physical Society 33th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 6 - 10 Eylül 2017, (Özet Bildiri)
2017
20173. The Study on Antimony Diffusion in Gallium-doped Germanium Grown by Czochralski Technique
Baran V., Çat Y., Akın Sönmez N., Özen Y., Kasap M., Özçelik S.
Turkish Physical Society 33th International Physics Congress (TFD33), Muğla, Türkiye, 6 - 10 Eylül 2017, (Özet Bildiri)
2016
20164. Pt Metal Kümelerin Katkısız SnO2 Sensör Yapılarının Algılama Özelliklerine Etkisi
Boyalı E., Korkmaz B., Sertel T., Efkere H. İ., Özen Y., Çetin S. Ş., et al.
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
2016
20165. Germanyum Kızıl Ötesi Optik Pencereler ve Elektromanyetik Girişim
Çat Y., Baran V., Kasap M., Özçelik S.
22. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 16 Aralık 2016, (Özet Bildiri)
2016
20166. Sb Doping Effect on the Electrical Properties of Germanium Single Cyrstals
BARAN V., ÇAT Y., BOYALI E., ASAR T., KASAP M., ÖZÇELİK S.
2nd International Congres on The World of Technology and Advanced Materials (WITAM2016), Kırşehir, Türkiye, 28 Eylül - 02 Ekim 2016, (Özet Bildiri)
2015
20157. Sb Katkılı Hacimli Germanyum Tek Kristal Büyütülmesi ve Karakterizasyonu
Baran V., Çat Y., Asar T., Çetin S. Ş., Kasap M., Özçelik S.
21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Özet Bildiri)
2015
20158. Electrical, Optical And Structural Properties of SnO2 Thin Films
BOYALI E., BAŞKÖSE Ü. C., ASAR T., KASAP M., ÖZÇELİK S.
9th International Physics Conference of the Balkan Physical Union – BPU9, İstanbul, Türkiye, 24 - 27 Ağustos 2015, (Özet Bildiri)
2014
20149. Antimon (Sb) Katkılı Germanyum (Ge) Hacimli Tek-Kristalinin Büyütülmesi ve Elektriksel Karakterizasyonu
BARAN V., ÇAT Y., BOYALI E., ASAR T., KASAP M., ÖZÇELİK S.
20. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 26 Aralık 2014, (Özet Bildiri)
2014
201410. Investigation of electrical properties of two dimensional hole gas in hybrid InGaN/ZnO heterotructure
Kutlu E., NARİN P., Atmaca G., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
Turkish Physical Society 31th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 21 Temmuz 2014, ss.401, (Özet Bildiri)
2014
201411. Temperature dependent hall effect studies on the InxGa1 xAs InP MSM infrared photodetectors
ASAR T., KASAP M., MEMMEDLİ T., ÖZÇELİK S.
XXIII International Scientific and Engineering Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moskva, Rusya, 28 - 30 Mayıs 2014
2013
201312. Katkısız Ge Tek-Kristal Yarıiletkenlerin Büyütülmesi ve Elektriksel Karakterizasyonları
BARAN V., BOYALI E., ÇAT Y., KASAP M., ÖZÇELİK S.
19. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Türkiye, 20 Aralık 2013, (Özet Bildiri)
2013
201313. Properties of GaAs/Ge growth by metal organic chemical vapor deposition
ÇETİN S. Ş., BOSI M., KASAP M., ÖZÇELİK S.
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
2013
201314. The Investigation of Temperature Dependent Electrical Transport Properties of InxGa1-xP/GaAs
BOYALI E., NARİN P., ATMACA G., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S.
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
2013
201315. Scattering Analysis of 2DEG in AlInN/GaN Based Heterostructures With GaN and InGaN Quantum Wells
NARİN P., ATMACA G., BOYALI E., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S.
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
2013
201316. A Numerical Investigation on Electronic Properties of Two Dimensional Electron Gas in BexZn1-xO/ZnO Heterostructures
NARİN P., Atmaca G., LİŞESİVDİN B., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, ss.529, (Özet Bildiri)
2013
201317. Structural and optical properties of double junction InGaP/GaAs solar cell
ÇETİN S. Ş., KINACI B., ÖZEN Y., BOSI M., ASAR T., KASAP M., et al.
Turkish Physical Society 30th International Physics Congress, İstanbul, Türkiye, 2 - 05 Eylül 2013, (Özet Bildiri)
2013
201318. The structural and morphological characterizations of GaAs/Ge structure
KINACI B., AKIN SÖNMEZ N., KIZILKAYA K., ÖZEN Y., ASAR T., ÇETİN S. Ş., et al.
NanoTR-9, Erzurum, Türkiye, 24 - 28 Haziran 2013, (Özet Bildiri)
2012
201219. InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri
TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.
ADIM Physics Congress II, Denizli, Türkiye, 25 - 27 Nisan 2012, ss.65, (Özet Bildiri)
2010
201020. InGaN arka bariyerli AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT yapılarındaki ince filmlerin alaşım oranları ve kalınlıklarının nümerik optimizasyonu
Kelekçi Ö., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.
17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.17, (Özet Bildiri)
2010
201021. Grafen Flake Üretim Yöntemlerinin Geliştirilmesi
Elibol K., Kelekçi Ö., Atmaca G., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., et al.
17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.2, (Özet Bildiri)
2010
201022. GaN Tabanlı MESFET Yapıların 2-boyutta Elektriksel Karakteristikleri
Elibol K., Atmaca G., TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.34, (Özet Bildiri)
2010
201023. Eklem Alan Etkili Transistörlerin Elektriksel Karakteristiklerinin İncelenmesi
Atmaca G., Elibol K., TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.12, (Özet Bildiri)
2010
201024. GaAs Tabanlı Bir MOSFET Yapının 2-Boyutta Akım – Gerilim Karakteristiklerinin İncelenmesi
Kuloğlu A. F., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 05 Ekim 2010, ss.88, (Özet Bildiri)
2009
200925. InGaAs Yarıiletkenin Elektriksel İletkenlik Özellikleri
Kayhan B., Yıldız A., Altuntaş H., Kasap M., Özçelik S.
16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 06 Kasım 2009, ss.64, (Özet Bildiri)
2009
200926. MBE Tekniği ile büyütülen AlGaAs/GaAs Lazer Diyot Yapısının Yapısal, Optik ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi
ÖZÇELİK S., ÇETİN S. Ş., KASAP M., MAMMADOV T.
11. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Toplantısı, Türkiye, 16 Ekim 2009, (Özet Bildiri)
2009
200927. Cift kanalli AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanli p-HEMT Yapilarinda 1 ve 2-boyutta Schrödinger-Poisson Cozumleri ve Akim-Gerilim Incelemeleri
Atmaca G., Elibol K., TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 06 Ekim 2009, ss.59, (Özet Bildiri)
2009
200928. Sicakliga ve manyetik alana bagli Hall olcumlerinin analizi ile DX-merkezi aktivasyon enerjisi hesabi
LİŞESİVDİN S. B., ALTUNTAŞ H., YILDIZ A., KASAP M., ÖZBAY E., ÖZÇELİK S.
16. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 06 Ekim 2009, ss.9, (Özet Bildiri)
2009
200929. A Numerical Study on Subband Structure of AlxIn1-xN/GaN-based HEMT Structures with Low-Indium (x>0.82) Barrier Layer
TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., Elibol K., Atmaca G., ÖZBAY E.
Turkish Physical Society 26th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 24 - 27 Eylül 2009, ss.509, (Özet Bildiri)
2009
200930. Determination of Two-Dimensional Electron and Hole Gas Carriers in Al0.88In0.12N/GaN-based Heterostructures Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., YILDIZ A., KASAP M., ÖZBAY E.
Turkish Physical Society 26th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 24 - 27 Eylül 2009, ss.510, (Özet Bildiri)
2008
200831. Optimization of Al-mole Fraction and Layer Thicknesses in AlxGa1-xN/AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double Channel HEMT Structure
Elibol K., Atmaca G., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S.
Turkish Physical Society 25th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 25 - 29 Ağustos 2008, ss.454, (Özet Bildiri)
2008
200832. Small Polaron Transport In Titanium Dioxide Thin Film
YILDIZ A., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., Mardare D.
Turkish Physical Society 25th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 25 - 29 Ağustos 2008, ss.133, (Özet Bildiri)
2008
200833. Investigation of the Beating Pattern of Shubnikov-De Haas Oscillations and Spin Splitting in AlGaN/AlN/GaN/AlN Heterostructures
LİŞESİVDİN S. B., Balkan N., Makarovsky O., Patane A., YILDIZ A., Çalışkan M. D., et al.
Turkish Physical Society 25th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 25 - 29 Ağustos 2008, ss.484, (Özet Bildiri)
2008
200834. On the conduction mechanism of TiO2
YILDIZ A., Eker S., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., Mardare D.
8th International Conference on Physics of Advanced Materials, Iasi, Romanya, 4 - 07 Haziran 2008, ss.28, (Özet Bildiri)
2007
200735. Stokes shift in In0.13Ga0.87N epitaxial layer grown by MOVPE
YILDIZ A., ALTUNTAŞ H., LİŞESİVDİN S. B., Bengi A., KASAP M.
Turkish Physical Society 24th International Physics Congress, Malatya, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2007, ss.152, (Özet Bildiri)
2006
200636. Simulation of the interfacial AlN layer on band structures and carrier densities of AlGaN/GaN HEMT structures
Liceşivdin S., KASAP M.
6TH International Conference of the Balkan Physical Union, İstanbul, Türkiye, 22 Ağustos 2006 - 26 Ağustos 2007, cilt.899, ss.622, (Tam Metin Bildiri)
2007
200737. Electrical Conductivity Behaviour in Anatase Phase TiO2
YILDIZ A., LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., KASAP M., Mardare D.
NanoTr3 Conference Proceedings, Ankara, Türkiye, 11 - 14 Haziran 2007, ss.151, (Özet Bildiri)
2007
200738. Improved Scattering Analysis of 2DEG carriers in Al0.25Ga0.75N/GaN Heterostructures
LİŞESİVDİN S. B., YILDIZ A., ACAR S., KASAP M., ÖZÇELİK S., GÖKDEN S., et al.
NanoTr3 Conference Proceedings, Ankara, Türkiye, 11 - 14 Haziran 2007, ss.134, (Özet Bildiri)
2006
200639. Analysis of ternary InGaN layers grown by atmospheric pressure vertical MOVPE
YILDIZ A., ÖZTÜRK M. A., KASAP M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.672, (Tam Metin Bildiri)
2006
200640. Mole fraction dependence of mobility in InxGa1-xN alloys
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., Kasap M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.670, (Tam Metin Bildiri)
2006
200641. Activation mechanism in InGaN grown by MOVPE
Yildiz A., LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., Kasap M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.671, (Tam Metin Bildiri)
2006
200642. Strain calculations from hall measurements in undoped Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT structures
LİŞESİVDİN S. B., Yildiz A., Kasap M., Oezbay E.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.623, (Tam Metin Bildiri)
2006
200643. Variable-range hopping conductivity in InGaN
Yildiz A., Kasap M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.293-294, (Tam Metin Bildiri)
2006
200644. Analysis of ternary InGaN layers grown by atmospheric pressure vertical MOVPE
Yildiz A., Ozturk M. K., Kasap M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.295-296, (Tam Metin Bildiri)
2006
200645. Simulation of the interfacial AIN layer on band structures and carrier densities of AlGaN/GaN HEMT structures
LİŞESİVDİN S. B., Kasap M.
6th International Conference of the Balkan-Physical-Union, İstanbul, Türkiye, 22 - 26 Ağustos 2006, cilt.899, ss.622, (Tam Metin Bildiri)
2006
200646. Two dimensional hole gas (2DHG) formation evidence in AlGaN/GaN/AlN HEMTs
ACAR S., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M.
13. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 03 Kasım 2006, ss.105, (Özet Bildiri)
2006
200647. Transport properties of the 2DEG and minority carriers in AlGaN/GaN HEMT Structures grown by MOCVD
LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., KASAP M.
13. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 03 Kasım 2006, ss.104, (Özet Bildiri)
2005
200548. QMSA Analysis and Effects of Extreme Space-Charge Scattering on the Mobility in III-V Systems grown by MBE
LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., KASAP M., ÖZÇELİK S.
Turkish Physical Society 23th International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 13 - 16 Eylül 2005, ss.1214, (Özet Bildiri)
2004
200449. Galvanomagnetic measurements of LEC grown Te-doped InSb
LİŞESİVDİN S. B., Yurdugul U., DEMİREZEN S., ACAR S., KASAP M.
11. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 03 Aralık 2004, ss.79, (Özet Bildiri)
2004
200450. Temperature depence of magnetotransport and electrotransport properties of LEC grown S-doped InAs
KARA İ., LİŞESİVDİN S. B., ACAR S., KASAP M.
11. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara, Türkiye, 03 Aralık 2004, ss.67, (Özet Bildiri)
Desteklenen Projeler
2012 - 2014
2012 - 2014
Growth and Characterization of Epitaxial Ge GaAs and InGaP for photovoltaic and thermophotovoltaic applications
TÜBİTAK Uluslararası İkili İşbirliği Projesi , 2504 - İtalya Ulusal Araştırma Konseyi (CNR) İkili İşbirliği Programı
Aydın S. Ş., Özçelik S., Kasap M. (Yürütücü)
2012 - 2014
2012 - 2014
Growth and Characterization of Epitaxial Ge GaAs and InGaP for photovoltaic and thermophotovoltaic applications
TÜBİTAK Uluslararası İkili İşbirliği Projesi , 2504 - İtalya Ulusal Araştırma Konseyi (CNR) İkili İşbirliği Programı
Özçelik S., Kasap M. (Yürütücü), Aydın S. Ş.
2011 - 2012
2011 - 2012GaAsP İki Renkli Işık Yayan Diyot LED Yapılarının Büyütülmesi ve Karakterizasyonları
TÜBİTAK Projesi , 1002 - Hızlı Destek Programı
Aydın S. Ş. (Yürütücü), Özçelik S., Tataroğlu A., Kasap M.
2010 - 2012
2010 - 2012
MOVPE growth and characterization of epitaxial Germanium for infrared photovoltaic and sensor applications
TÜBİTAK Uluslararası İkili İşbirliği Projesi , 2504 - İtalya Ulusal Araştırma Konseyi (CNR) İkili İşbirliği Programı
Kasap M. (Yürütücü), Özçelik S., Lişesivdin S. B., Yıldız A., Aydın S. Ş.
2008 - 2010
2008 - 2010Kızılötesi AlGaAs Lazer Diyot Malzemelerinin Epitaksiyel Üretimi ve Karakterizasyonu
TÜBİTAK Projesi , 1001 - Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı
Özçelik S. (Yürütücü), Mammadov T., Kasap M.
2008 - 2010
2008 - 2010Ekolojik fizikte uygulamaları olan TiO2 ince film nanoyapılarının sentezi ve karakterizasyonu üzerine çalışmalar
TÜBİTAK Uluslararası İkili İşbirliği Projesi , 2528 - Romanya Bilimsel Araştırma Otoritesi (ANCS) İkili İşbirliği Programı
Yıldız A.(Yürütücü), Kasap M.